• 场效应晶体管和情节的特点研究其vi的特点。
• 研究闸门控制可控硅的特点及其图形。
• 研究UJT的特点。
• 研究MOSFET的特点。
• 研究双向开关二极管的特点及其vi的阴谋
• 研究双向可控硅的vi特点。
• 研究了电阻触发电路。
• 研究了电阻电容触发电路。
• 使用UJT研究可控硅的触发。

技术规格:

• 电力供应:
  • + 12 v 250 ma
  • 0-15V 250马
  • 0-30V 250马
  • 15 v - 0 - 15休假250 ma
• 数字米:
  • 电压表、电流表双重范围20 v / 20 macomponents安装在面板:
• 电力设备:
  • MOSFET-IRF540
  • UJT-2N2646
  • DIAC-DB3
  • TRIAC-BT136
  • SCR-TYN604
  • 场效应晶体管BS170
  • 功率晶体管2 n3055
  • 功率二极管8