带电源可控硅的DV/DT限制
规范
电力电子训练板专门用于研究可控硅的Dv/Dt特性。提高可控硅器件的Dv/Dt性能，避免在某些应用中产生灾难性的误放电是至关重要的。在黑板上给出不同的方案，帮助学生设计和学习各种缓冲电路，以提高晶闸管的Dv/Dt能力。
实践经验对理工科学生具有重要的教育价值。
对象:
进行以下实验:
实践经验对理工科学生具有重要的教育价值。
对象:
进行以下实验:
- 测试可控硅的dv/dt估计。
- 比较栅极-阴极终端的Dv/Dt能力。
- 通过栅极-阴极偏置(电压偏置)比较Dv/Dt能力。
- 通过栅极-阴极偏置(电流偏置)比较Dv/Dt能力。
- 利用晶体管缓冲电路提高Dv/Dt性能。
- rc缓冲器电路对Dv/Dt性能的影响。
- 不同R.C.缓冲电路方案对Dv/Dt性能的影响研究。
特点:
单板由以下内置部件组成:
- 300V dc, 250ma，内部连接电源。
- 在实验可控硅上施加突然电压的晶闸管开关。
- 实验中的可控硅。
- 栅极-阴极终端电阻。
- 硅二极管。
- 晶体管缓冲器电路。
- 两种R-C缓冲电路方案。
- 可视指示指示可控硅发射。
- 足够的没有。其他电子元件。
- 主电源开/关开关，保险丝和宝石灯。
- 该机组在230V±10%在50Hz交流电源运行。
- 足够的没有。插接线可堆叠4毫米弹簧加载插头长度½米。
- 在面板上的适当位置提供高质量、可靠的端子/插座，用于连接/观察波形。
- 强烈支持详细的操作说明，给出详细的对象，理论，设计程序，报告建议和书籍参考。
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